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RFD3055LESM9A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 17:20:08 查看 閱讀：16

RFD3055LESM9A 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），由 Renesas（瑞薩電子）生產(chǎn)。該器件采用 LFPAK88 封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于各種電源管理應(yīng)用中，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池保護(hù)電路等。
　　這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是為工程師提供高效且可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案，同時(shí)降低系統(tǒng)整體功耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：14A
　　導(dǎo)通電阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷：25nC（典型值）
　　開關(guān)時(shí)間：ton=11ns，toff=16ns（典型值）
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

RFD3055LESM9A 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 高電流承載能力，能夠支持大功率應(yīng)用。
　　3. 快速開關(guān)速度，適合高頻開關(guān)應(yīng)用，減少開關(guān)損耗。
　　4. 緊湊的 LFPAK88 封裝形式，占用較小的 PCB 空間，有利于小型化設(shè)計(jì)。
　　5. 高溫性能優(yōu)異，能夠在極端環(huán)境下可靠運(yùn)行。
　　6. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級(jí)應(yīng)用。
　　7. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)器件的魯棒性。

應(yīng)用

RFD3055LESM9A 可廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域：
　　1. 汽車電子 - 包括發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動(dòng)系統(tǒng)及車載充電器等。
　　2. 工業(yè)設(shè)備 - 用于伺服驅(qū)動(dòng)器、逆變器、不間斷電源 (UPS) 和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)。
　　3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品 - 如筆記本電腦適配器、智能手機(jī)快充模塊和家用電器中的電源管理部分。
　　4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施 - 基站電源、路由器和交換機(jī)中的功率轉(zhuǎn)換電路。
　　5. LED 照明驅(qū)動(dòng) - 實(shí)現(xiàn)高效的 LED 照明解決方案。

替代型號(hào)

RFD3055LEM9A, RFD3055LESMA9A

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rfd3055lesm9a參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C107 毫歐 @ 8A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-252AA
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RFD3055LESM9ATR