時(shí)間：2025/5/22 0:44:57
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RFP50N06LE是一款N溝道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），由Infineon Technologies制造。該器件采用TO-220封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適用于各種開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用場合。
該MOSFET的主要特點(diǎn)是其低的導(dǎo)通電阻和較高的雪崩能量能力，這使得它在需要高效能和高可靠性的電路中表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：50A
導(dǎo)通電阻：15mΩ
柵極電荷：34nC
總耗散功率：175W
工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃
RFP50N06LE具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性。
3. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。
5. 提供了卓越的熱性能，能夠承受高功耗條件下的工作。
RFP50N06LE廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，例如步進(jìn)電機(jī)和直流無刷電機(jī)控制。
3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路中的電子開關(guān)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率管理部分。
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
IRF540N
STP55NF06L
FDP50N06L
