RGT30NS65DGTL是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的工藝技�(shù)制�,具有低導通電�、快速開�(guān)速度和出色的雪崩能力等特�。它廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等領(lǐng)��
RGT30NS65DGTL的最大漏源電壓為650V,適用于高電壓環(huán)境下的各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。同時,其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,非常適合對尺寸有嚴格要求的�(shè)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:0.18Ω
柵極電荷�29nC
總電容:2470pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 極低的導通電阻使得傳導損耗顯著降低,從而提高了整體效率�
2. 快速開�(guān)性能減少了開�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能力增強了器件在異常條件下的可靠��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性確保了器件在高溫環(huán)境下仍能保持高性能�
6. 提供多種保護功能,如過流保護和短路耐受能力�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動控�
4. 負載開關(guān)
5. PFC(功率因�(shù)校正)電�
6. 各類工業(yè)和消費電子設(shè)備中的功率管理模�
IRF840,
STP30NF65,
FDP30N65S,
IXTH30N65L2