RHTVSDF01521N-S 是一款高性能� MOSFET 場效應晶體管,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載開關等領�。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
其封裝形式為 SOT-23,具有良好的散熱性能和緊湊的設計,非常適合空間受限的應用場景�
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.8A
導通電�(Rds(on))�35mΩ (典型值,� Vgs=10V �)
柵極電荷(Qg)�12nC (典型�)
開關時間:開啟延遲時�(td(on))=8ns,關斷傳播時�(td(off))=15ns
工作結溫范圍(Tj)�-55� � +150�
封裝形式:SOT-23
RHTVSDF01521N-S 的主要特性包括:
1. 低導通電�,可顯著降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,適合高頻應用環(huán)境�
3. 小型化封裝設�,有助于減少 PCB 占用面積�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
5. �(nèi)� ESD 保護功能,增強了器件的可靠��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材��
� MOSFET 器件適用于以下應用場景:
1. 開關電源中的同步整流和降壓轉換器�
2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制電路�
3. 電機驅動中的功率級開關�
4. 各類負載開關及保護電��
5. 消費類電子產(chǎn)品中� DC/DC 轉換模塊�
6. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離與驅動電路�
RHTVSDF01522N-S, RHTVSDF01520N-S