時間：2025/6/3 17:01:49
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RHTVSUC0516N-10L 是一款高性能的功率 MOSFET，屬于 N 溝道增強型器件。該芯片廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及負載切換等電路中。其設計優(yōu)化了導通電阻和柵極電荷，從而在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和性能。
RHTVSUC0516N-10L 采用小型化的封裝形式，適合高密度 PCB 布局設計，同時具備良好的散熱性能以支持大電流操作。
最大漏源電壓：50V
連續(xù)漏極電流：16A
導通電阻：1.6mΩ
柵極電荷：24nC
總電容：1050pF
功耗：25W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：TO-Leadless
RHTVSUC0516N-10L 具備低導通電阻特性，能夠顯著減少傳導損耗，提升系統(tǒng)效率。此外，該器件的柵極電荷較低，有助于降低開關損耗，非常適合高頻開關應用。
該芯片采用了先進的半導體制造工藝，確保了較高的可靠性和穩(wěn)定性。其耐熱增強設計使得即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
另外，RHTVSUC0516N-10L 的封裝緊湊，引腳布局合理，便于自動化貼裝和焊接，降低了生產(chǎn)成本并提高了組裝效率。
該芯片主要應用于消費電子、工業(yè)設備及汽車電子領域，具體包括但不限于以下場景：
- 開關電源中的主開關管或同步整流管
- 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關
- 電池保護和負載切換電路
- 汽車電子中的啟動控制和負載管理
RHTVSUC0516N-12L, RHTVSUC0520N-10L
