RHTVSUC0516N-10L 是一款高性能的功率 MOSFET,屬于 N 溝道增強型器件。該芯片廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及負載切換等電路中。其設計優(yōu)化了導通電阻和柵極電荷,從而在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和性能。
RHTVSUC0516N-10L 采用小型化的封裝形式,適合高密度 PCB 布局設計,同時具備良好的散熱性能以支持大電流操作。
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流:16A
導通電阻:1.6mΩ
柵極電荷:24nC
總電容:1050pF
功耗:25W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類型:TO-Leadless
RHTVSUC0516N-10L 具備低導通電阻特性,能夠顯著減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。此外,該器件的柵極電荷較低,有助于降低開關損耗,非常適合高頻開關應用。
該芯片采用了先進的半導體制造工藝,確保了較高的可靠性和穩(wěn)定性。其耐熱增強設計使得即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
另外,RHTVSUC0516N-10L 的封裝緊湊,引腳布局合理,便于自動化貼裝和焊接,降低了生產(chǎn)成本并提高了組裝效率。
該芯片主要應用于消費電子、工業(yè)設備及汽車電子領域,具體包括但不限于以下場景:
- 開關電源中的主開關管或同步整流管
- 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關
- 電池保護和負載切換電路
- 汽車電子中的啟動控制和負載管理
RHTVSUC0516N-12L, RHTVSUC0520N-10L