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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RJP020N06T100

RJP020N06T100 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:32:33 查看 閱讀�30

RJP020N06T100 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,屬于超低導(dǎo)通電阻的功率器件。該芯片主要適用于高� �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池保護(hù)電路等應(yīng)用領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是實(shí)�(xiàn)高效率和高可靠�,同�(shí)具備較小的封裝尺寸以滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間節(jié)省的需��
  RJP020N06T100 的關(guān)鍵特性在于其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而降低了功率損耗并提高了系�(tǒng)的整體效�。此�,該器件還具有快速開�(guān)速度和出色的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:20A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1300pF
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263 (DPAK)

特�

RJP020N06T100 提供了多種卓越的特性以支持高效能應(yīng)用:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在大電流條件下仍能保持較低的功耗�
  2. 快速開�(guān)能力,非常適合高頻操作環(huán)�,減少開�(guān)損��
  3. 高擊穿電�,提供強(qiáng)大的過壓保護(hù)功能�
  4. 采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠��
  5. 支持較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需求�
  6. 小巧的封裝設(shè)�(jì),能夠有效節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

RJP020N06T100 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和功率因數(shù)校正(PFC��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流管�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,例如鋰電池組保�(hù)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和配電模��

替代型號(hào)

RFP020N06L, IRFZ44N, FDP029N06L

rjp020n06t100推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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rjp020n06t100參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫歐 @ 2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds160pF @ 10V
  • 功率 - 最�500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-243AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�MPT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RJP020N06T100TR