RKD705WKKRP1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于需要高效能、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)特性的場景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有出色的電氣性能和熱�(wěn)定性,適用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)��
其設(shè)�(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高雪崩能力以及�(yōu)化的柵極電荷特�,從而顯著降低了功耗并提升了系�(tǒng)效率�
型號:RKD705WKKRP1
類型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-263 (DPAK)
最大漏源電�(Vdss)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總柵極電�(Qg)�60nC
輸入電容(Ciss)�2940pF
輸出電容(Coss)�850pF
反向傳輸電容(Crss)�125pF
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損�,提升整體效率�
2. 高電流處理能�,支持高�(dá)48A的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)��
3. �(yōu)化的柵極電荷特�,確保更快的開關(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能�,提高器件在�(shí)際使用中的耐用��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級開�(guān)�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 大電流電池管理系�(tǒng)(BMS)中的充放電控制開�(guān)�
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
IRLR7846PbF, FDP15N04L, AO4404