RLSD32A121LC 是一款由 ROHM 公司生產(chǎn)的低�(dǎo)通電� N 溝道 MOSFET,主要用于電源管理、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在確保低導(dǎo)通損耗的同時(shí),還具有良好的開�(guān)性能和抗浪涌能力�
RLSD32A121LC 的封裝形式為超小型的 DFN1006-2(LCT�,使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)。其額定電壓� 30V,能夠承受一定的瞬態(tài)過壓,并且具備極低的�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,從而提高了系統(tǒng)的整體效��
型號(hào):RLSD32A121LC
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:DFN1006-2 (LCT)
額定電壓(Vds)�30V
額定電流(Id)�2.8A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�12mΩ (典型�,在Vgs=4.5V�(shí))
柵極閾值電�(Vgs(th))�1.1V (典型�)
總功�(Ptot)�0.1W
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
�(jié)�(Tj)�150°C
RLSD32A121LC 的主要特�(diǎn)是其超小尺寸與高效的性能相結(jié)合。它采用 DFN1006-2 封裝,僅� 1.0mm x 0.6mm,厚度為 0.37mm,是市場(chǎng)上最小的功率 MOSFET 之一。此外,該器件在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下也能實(shí)�(xiàn)非常低的�(dǎo)通電��
具體特性如下:
1. 極低� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高開�(guān)速度和低柵極電荷,使得其�(dòng)�(tài)性能�(yōu)�,適合高頻應(yīng)��
3. 超小型封裝,節(jié)省電路板空間,特別適用于便攜式設(shè)備和高密度設(shè)�(jì)�
4. 寬廣的工作溫度范圍,能夠適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠��
這種 MOSFET 的優(yōu)化設(shè)�(jì)使其成為電池供電�(shè)備的理想選擇,同�(shí)也可以用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的各種場(chǎng)��
RLSD32A121LC 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān),例如智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器中的同步整流開關(guān)�
3. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和電池保�(hù)電路�
4. USB 接口保護(hù)和電源路徑管理�
5. 可穿戴設(shè)備中的電源管理單��
由于其低�(dǎo)通電阻和小型化封�,該器件能夠在不顯著增加系統(tǒng)�(fù)雜度的情況下提供出色的性能�
RLSS3120TDB, RLSS3120TKB