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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RMTMK063CG8R2BT-F

RMTMK063CG8R2BT-F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 0:06:08 查看 閱讀�18

RMTMK063CG8R2BT-F 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯�,專為高�、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。它集成了增�(qiáng)� GaN FET 和驅(qū)�(dòng)器電�,能夠顯著提升開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)的性能�
  該芯片采用先�(jìn)的封裝工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),同�(shí)支持高達(dá) 200V 的工作電壓,適用于工�(yè)控制、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理�(lǐng)域�

參數(shù)

最大工作電壓:200V
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  連續(xù)漏極電流�8A
  開關(guān)頻率�5MHz
  柵極電荷�10nC
  封裝類型:QFN-8
  工作溫度范圍�-40� to +125�

特�

RMTMK063CG8R2BT-F 的主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵晶體管技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)更低的開�(guān)損耗和更高的工作效��
  2. �(nèi)置驅(qū)�(dòng)器優(yōu)化了與外部控制器的配�,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  3. 極低的寄生電感和熱阻,確保了芯片在高頻條件下的穩(wěn)定��
  4. 提供全面的保�(hù)功能,例如過流保�(hù)、短路保�(hù)和過溫關(guān)斷等�
  5. 小型化的 QFN-8 封裝,非常適合對(duì)空間要求�(yán)格的緊湊型應(yīng)用�
  6. 支持寬范圍的工作溫度,保證了其在惡劣�(huán)境下的可靠��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 的主開關(guān)元件�
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)器件�
  3. 快速充電器及適配器的核心組件�
  4. 工業(yè)用逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的高頻功率開關(guān)�
  6. 通信基站和其他高功率密度�(chǎng)合的電源模塊�

替代型號(hào)

RMTMK063CG8R1BT-F, RMTMK063DG8R2BT-F

rmtmk063cg8r2bt-f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)