RMW280N03是一款基于氮化鎵(GaN)技術的功率晶體管,專為高頻和高效率應用場景設計。該器件采用先進的封裝技�,具有較低的導通電阻和較高的開關頻�,適用于各種電源管理、DC-DC轉換器以及通信設備中的射頻應用。RMW280N03以其高性能和可靠性在工業(yè)電子領域得到了廣泛應��
額定電壓�300V
連續(xù)漏極電流�28A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�90nC
開關頻率:超�5MHz
封裝形式:TO-247
RMW280N03的核心特性在于其使用了氮化鎵材料,這使得它在高頻工作條件下仍能保持高效性能�
1. 高效性:由于其低導通電阻特�,能夠顯著降低傳導損��
2. 快速切換:其高開關頻率使其非常適合于高頻電源轉換應用�
3. 熱穩(wěn)定性:采用了高效的散熱設計,確保長時間運行時的溫度�(wěn)定性�
4. 小尺寸封裝:相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,GaN器件通常具有更小的體積和更高的功率密度�
5. 可靠性:經過嚴格的測試流�,確保在惡劣�(huán)境下也能�(wěn)定工作�
RMW280N03廣泛應用于需要高效率和高頻率的場景中,例如數據中心電源、通信基站電源模塊、電動汽車車載充電器、無線充電設備以及各類工�(yè)自動化系�(tǒng)中的功率轉換部分。此外,該器件還可用于音頻放大器、電機驅動等對效率要求較高的場合�
RMW280N02, RMW280N04