RN1131MFV L3LCFF(T) 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高頻功率轉(zhuǎn)換芯片,專為高效率、小尺寸電源應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片集成了高效的驅(qū)動(dòng)器和功率晶體管,適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。
其封裝形式為L(zhǎng)3LCFF(T),具有低寄生電感和高散熱性能的特點(diǎn),能夠顯著提升整體系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。
型號(hào):RN1131MFV
封裝:L3LCFF(T)
最大工作電壓:600V
導(dǎo)通電阻:150mΩ
最大電流:8A
柵極驅(qū)動(dòng)電壓:4.5V~6V
開關(guān)頻率:最高可達(dá)5MHz
結(jié)溫范圍:-40℃~+150℃
封裝尺寸:3.9mm x 3.9mm
RN1131MFV是一款高性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET),采用先進(jìn)的增強(qiáng)型技術(shù)制造。
1. 高開關(guān)頻率:得益于氮化鎵材料的獨(dú)特性質(zhì),RN1131MFV能夠在高達(dá)5MHz的頻率下運(yùn)行,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基器件,從而減少磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本。
2. 低導(dǎo)通電阻:150mΩ的導(dǎo)通電阻使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,同時(shí)降低了傳導(dǎo)損耗。
3. 小型化封裝:L3LCFF(T)封裝不僅減小了芯片的物理尺寸,還通過(guò)優(yōu)化引腳布局進(jìn)一步減少了寄生電感,提高了高頻性能。
4. 熱性能優(yōu)異:該芯片具備良好的散熱能力,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適合對(duì)可靠性要求較高的工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
5. 易于驅(qū)動(dòng):較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍(4.5V~6V)使得RN1131MFV可以與大多數(shù)現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路兼容,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。
RN1131MFV廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和小型化的場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS):
- 小型適配器
- 快速充電器
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:
- 筆記本電腦電源管理
- 通信基站中的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):
- 消費(fèi)類家電中的小型電機(jī)控制
- 工業(yè)自動(dòng)化中的伺服驅(qū)動(dòng)
4. 其他領(lǐng)域:
- 固態(tài)照明 (SSL)
- 太陽(yáng)能微型逆變器
這些應(yīng)用均受益于RN1131MFV的高效率和高頻操作特性,可實(shí)現(xiàn)更緊湊、更輕便的設(shè)計(jì)方案。
RN1132MFV, RN1130MFV