RP111L281D-TR 時(shí)間：2025/5/8 17:52:44 閱讀：24

RP111L281D-TR 是一款高性能的 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），專為需要低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有優(yōu)異的電氣性能和可靠性，適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用領(lǐng)域。
　　該型號(hào)屬于邏輯電平增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET，支持較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，使其非常適合電池供電系統(tǒng)或低壓操作環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏電流：67A
　　導(dǎo)通電阻：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　柵極電荷：55nC（典型值）
　　總電容：1650pF（典型值）
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

RP111L281D-TR 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻，這有助于減少功率損耗并提高效率。此外，該器件具有快速開關(guān)能力，可降低開關(guān)損耗并支持高頻操作。它的柵極閾值電壓較低，適合在較低電壓條件下運(yùn)行。
　　其他關(guān)鍵特性包括：
　　- 高雪崩能力，增強(qiáng)了在過(guò)載條件下的耐用性。
　　- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛。
　　- 具備出色的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
　　- 封裝堅(jiān)固，能夠承受機(jī)械應(yīng)力和焊接過(guò)程中的熱沖擊。
　　這些特性使 RP111L281D-TR 成為高效能電力電子設(shè)備的理想選擇。

應(yīng)用

RP111L281D-TR 廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)景中，具體包括：
　　- 開關(guān)電源（SMPS）和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器模塊。
　　- 電池管理系統(tǒng)（BMS）。
　　- 工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人控制。
　　- 汽車電子系統(tǒng)，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）和制動(dòng)系統(tǒng)。
　　- 可再生能源領(lǐng)域，例如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電控制器。
　　其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其特別適合需要高效率和高功率密度的應(yīng)用。