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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RP119N281D-TR-FF

RP119N281D-TR-FF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 13:57:50 查看 閱讀�16

RP119N281D-TR-FF 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高�、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠承受較高的電壓和電�,同�(shí)具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,從而顯著提升系�(tǒng)效率�
  這款 GaN 器件主要面向消費(fèi)電子、工�(yè)電源以及通信�(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)�,支持更高的工作頻率和更緊湊的設(shè)�(jì)方案�

參數(shù)

型號(hào):RP119N281D-TR-FF
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電壓:650 V
  最大連續(xù)漏極電流�100 A
  �(dǎo)通電阻:17 mΩ(典型值)
  柵極電荷�45 nC(最大值)
  �(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá) 2 MHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

RP119N281D-TR-FF 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中減少功耗并提高效率�
  2. 高擊穿電壓能�,使其適合高壓環(huán)境下的運(yùn)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì),有助于降低�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻操作�
  4. 采用 TO-247-4L 封裝,具有良好的散熱性能,便于安裝與集成�
  5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,可適應(yīng)�(yán)苛的工作條件�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

RP119N281D-TR-FF 廣泛�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)控制�
  2. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的高效能量轉(zhuǎn)換�
  3. �(shù)�(jù)中心及服�(wù)器電源模塊的高密度設(shè)�(jì)�
  4. 電動(dòng)車輛(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的車載充電器與電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻驅(qū)�(dòng)電路�
  6. �(wú)線通信基站和其他射頻功率放大器的相�(guān)�(yīng)��

替代型號(hào)

RP119N280D-TR-FF
  RP120N281D-TR-FF
  GAN042-650WSA

rp119n281d-tr-ff推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)