RP119N281D-TR-FF 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高�、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠承受較高的電壓和電�,同�(shí)具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,從而顯著提升系�(tǒng)效率�
這款 GaN 器件主要面向消費(fèi)電子、工�(yè)電源以及通信�(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)�,支持更高的工作頻率和更緊湊的設(shè)�(jì)方案�
型號(hào):RP119N281D-TR-FF
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏極電流�100 A
�(dǎo)通電阻:17 mΩ(典型值)
柵極電荷�45 nC(最大值)
�(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá) 2 MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
RP119N281D-TR-FF 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中減少功耗并提高效率�
2. 高擊穿電壓能�,使其適合高壓環(huán)境下的運(yùn)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì),有助于降低�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻操作�
4. 采用 TO-247-4L 封裝,具有良好的散熱性能,便于安裝與集成�
5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,可適應(yīng)�(yán)苛的工作條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
RP119N281D-TR-FF 廣泛�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)控制�
2. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的高效能量轉(zhuǎn)換�
3. �(shù)�(jù)中心及服�(wù)器電源模塊的高密度設(shè)�(jì)�
4. 電動(dòng)車輛(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的車載充電器與電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻驅(qū)�(dòng)電路�
6. �(wú)線通信基站和其他射頻功率放大器的相�(guān)�(yīng)��
RP119N280D-TR-FF
RP120N281D-TR-FF
GAN042-650WSA