RQW180N03是一款N溝道增強型MOSFET晶體管,采用TO-252封裝形式。該器件適用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特性,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
該MOSFET在設(shè)計上注重高性能與可靠性,其出色的電氣性能使其成為眾多功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�180A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�47nC
開關(guān)時間:開啟延遲時�11ns,下降時�22ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
RQW180N03具備超低�(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效率。同�,該器件具有快速的開關(guān)特性,有助于降低開�(guān)損��
此外,它還擁有較高的雪崩能量承受能力,能夠在異常條件下提供更好的保護功能。器件的小型化封裝使其非常適合空間受限的�(yīng)用場景,同時保持良好的散熱性能�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于消費類電�、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)�。具體應(yīng)用場景包括但不限于:
- 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流�
- 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)�
- 負載開關(guān)和保護電�
- 各類DC/DC�(zhuǎn)換器模塊
RQW180N03憑借其卓越的性能表現(xiàn),為工程師提供了靈活且高效的解決方案�
RQW160N03L, IRFZ44N, FDP187N