RS-03K303JT是一款高性能的N溝道MOSFET功率晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用TO-252表面貼裝封裝形式,具備低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適合需要高效能和小型化的電路設(shè)計(jì)。
其內(nèi)部結(jié)構(gòu)基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,能夠提供穩(wěn)定的電氣性能,并支持較高的電流承載能力。由于其出色的效率和可靠性,RS-03K303JT在消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中具有廣泛應(yīng)用。
最大漏源電壓(Vdss):60V
最大柵源電壓(Vgss):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):3.3A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):130mΩ (典型值,在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):1.2W
工作結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+150℃
封裝形式:TO-252
RS-03K303JT具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻確保了更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的功耗。
2. 高速開關(guān)性能使其非常適合高頻應(yīng)用。
3. 小型化封裝(TO-252)有助于減少PCB占用面積。
4. 較寬的工作溫度范圍使其能夠在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)提升了器件的抗靜電能力。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
該器件適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)側(cè)開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)切換。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代和信號(hào)隔離。
6. 通信設(shè)備中的電源管理和信號(hào)處理模塊。
IRLML6401
AO3400
FDP17N06L