RS2KHE3_A/H 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進的半導體制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
RS2KHE3_A/H 的設(shè)計優(yōu)化了開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性,使其在高頻工作條件下依然保持�(yōu)異的表現(xiàn)。此�,該芯片還具有良好的短路耐受能力和靜電防護能�,增強了其在實際應用中的可靠性�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�98nC
開關(guān)頻率:高�1MHz
工作溫度范圍�-55℃至175�
RS2KHE3_A/H 芯片的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可有效減少功率損耗�
2. 高效的開�(guān)速度,適用于高頻應用場景�
3. �(yōu)化的熱性能,確保長時間�(wěn)定運��
4. 強大的短路保護功�,提升了系統(tǒng)的安全��
5. 高度集成的設(shè)計,簡化了電路布局和安裝過��
6. 寬泛的工作溫度范�,適應各種惡劣環(huán)境下的使用需��
RS2KHE3_A/H 芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管�
2. 各類電機�(qū)動電路中的功率輸出級�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
4. 太陽能逆變器中的功率管理模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與控��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元�
RS2KHE3_B/H, IRF3205, FDP55N06L