RSD050N10TL 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,主要應用于需要高效率、低導通損耗和快速開關性能的場�。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有較低的導通電阻和良好的熱特�,適合用于電源管�、電機驅動以及各種工�(yè)應用��
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-220,便于散熱設�,同時具備較高的電流承載能力與耐壓性能,能夠滿足多種復雜電路需��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻(典型值)�4.8mΩ
柵極電荷(典型值)�63nC
總電容(輸入電容):1470pF
開關時間(典型�,開啟)�92ns
開關時間(典型�,關閉)�45ns
功耗:100W
工作溫度范圍�-55� � 175�
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可以有效降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度有助于減少開關損�,并支持高頻操作�
3. 較高的雪崩擊穿能� (EAS) 和魯棒�,使其能夠在嚴苛條件下穩(wěn)定運��
4. 熱穩(wěn)定性良好,即使在極端溫度環(huán)境下也能保持性能一致��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
6. 高可靠性設�,適用于工業(yè)級應用場��
1. 開關電源(SMPS)中的主開關元件�
2. DC-DC 轉換器中的同步整流或高端開關�
3. 電機驅動電路中的功率輸出級�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載控��
5. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)的關鍵功率處理部��
6. 各種大功率電子設備中的保護開關或切換開關�
RSD050N10TLD, IRFZ44N, FDP057N10L