時間：2025/6/7 14:47:27
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RSD050N10TL 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管（MOSFET），主要應用于需要高效率、低導通損耗和快速開關性能的場景。該器件采用了先進的半導體制造工藝，具有較低的導通電阻和良好的熱特性，適合用于電源管理、電機驅動以及各種工業(yè)應用中。
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-220，便于散熱設計，同時具備較高的電流承載能力與耐壓性能，能夠滿足多種復雜電路需求。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：50A
導通電阻（典型值）：4.8mΩ
柵極電荷（典型值）：63nC
總電容（輸入電容）：1470pF
開關時間（典型值，開啟）：92ns
開關時間（典型值，關閉）：45ns
功耗：100W
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)) 可以有效降低傳導損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關速度有助于減少開關損耗，并支持高頻操作。
3. 較高的雪崩擊穿能量 (EAS) 和魯棒性，使其能夠在嚴苛條件下穩(wěn)定運行。
4. 熱穩(wěn)定性良好，即使在極端溫度環(huán)境下也能保持性能一致性。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且安全可靠。
6. 高可靠性設計，適用于工業(yè)級應用場景。
1. 開關電源（SMPS）中的主開關元件。
2. DC-DC 轉換器中的同步整流或高端開關。
3. 電機驅動電路中的功率輸出級。
4. 工業(yè)自動化設備中的負載控制。
5. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)的關鍵功率處理部件。
6. 各種大功率電子設備中的保護開關或切換開關。
RSD050N10TLD, IRFZ44N, FDP057N10L
