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RSD050N10TL 發(fā)布時間 時間:2025/6/7 14:47:27 查看 閱讀:12

RSD050N10TL 是一款 N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET),主要應用于需要高效率、低導通損耗和快速開關性能的場景。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有較低的導通電阻和良好的熱特性,適合用于電源管理、電機驅動以及各種工業(yè)應用中。
  這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-220,便于散熱設計,同時具備較高的電流承載能力與耐壓性能,能夠滿足多種復雜電路需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:50A
  導通電阻(典型值):4.8mΩ
  柵極電荷(典型值):63nC
  總電容(輸入電容):1470pF
  開關時間(典型值,開啟):92ns
  開關時間(典型值,關閉):45ns
  功耗:100W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

1. 極低的導通電阻 (Rds(on)) 可以有效降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關速度有助于減少開關損耗,并支持高頻操作。
  3. 較高的雪崩擊穿能量 (EAS) 和魯棒性,使其能夠在嚴苛條件下穩(wěn)定運行。
  4. 熱穩(wěn)定性良好,即使在極端溫度環(huán)境下也能保持性能一致性。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠。
  6. 高可靠性設計,適用于工業(yè)級應用場景。

應用

1. 開關電源(SMPS)中的主開關元件。
  2. DC-DC 轉換器中的同步整流或高端開關。
  3. 電機驅動電路中的功率輸出級。
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載控制。
  5. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)的關鍵功率處理部件。
  6. 各種大功率電子設備中的保護開關或切換開關。

替代型號

RSD050N10TLD, IRFZ44N, FDP057N10L

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rsd050n10tl參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格2,500 : ¥3.76301卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設計
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)100 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)5A(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)190 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)530 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)15W(Tc)
  • 工作溫度150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝CPT3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63