時間：2025/6/6 0:50:52
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RSD100N10 TL 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝。該器件適用于需要高效能開關和低導通電阻的應用場景，廣泛用于消費電子、工業(yè)控制以及電源管理領域。
其主要功能是通過柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流流動，具有快速開關速度和較低的功耗特性，能夠滿足多種電路設計需求。
最大漏源電壓：100V
連續(xù)漏極電流：6.8A
導通電阻：140mΩ
柵極電荷：17nC
總電容：390pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
RSD100N10 TL 具有以下特點：
1. 極低的導通電阻，可有效降低功耗并提高效率。
2. 快速開關能力，適合高頻應用。
3. 高雪崩擊穿能量，增強了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 小型化封裝（TO-252），便于 PCB 布局設計。
5. 廣泛的工作溫度范圍，適應各種惡劣環(huán)境。
這款 MOSFET 主要應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器。
2. 電機驅動和負載切換。
3. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
4. 電池保護電路。
5. 各種消費類電子產品中的電源開關組件。
IRFZ44N
STP16NF10L
FQP16N10
AO3400
