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RSM002P03T2L 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 10:09:46 查看 閱讀:21

RSM002P03T2L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱量損耗。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型,封裝形式為 TO-263(DPAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT)應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:2A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:9nC
  開關(guān)時間:ton=12ns, toff=9ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 150℃

特性

RSM002P03T2L 具有非常低的導(dǎo)通電阻,僅為 1.5mΩ,這使得其在高電流應(yīng)用場景下表現(xiàn)尤為突出。同時,它的柵極電荷較低,有助于實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的系統(tǒng)效率。
  此外,該器件具備出色的熱性能,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適應(yīng)各種嚴苛的工作環(huán)境。其 DPAK 封裝也便于散熱設(shè)計,非常適合需要緊湊布局和高效運行的應(yīng)用場景。
  RSM002P03T2L 的典型優(yōu)勢包括:
  - 極低的導(dǎo)通電阻以降低功耗
  - 快速的開關(guān)特性以支持高頻操作
  - 高可靠性及耐用性
  - 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛
  - 可靠的電氣隔離性能

應(yīng)用

RSM002P03T2L 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源(Switching Power Supply)
  - DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  - 電機驅(qū)動與控制
  - 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  - 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理
  - 消費類電子產(chǎn)品中的充電電路
  由于其高效的功率處理能力和緊湊的封裝形式,這款芯片特別適用于對空間和效率要求較高的場合。

替代型號

RSM002P03T2H, IRFZ44N, AO3400

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rsm002p03t2l參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊MOSFETs
  • 特色產(chǎn)品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 標準包裝8,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 200mA,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds30pF @ 10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-723
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝VMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RSM002P03T2LTR