RSS095N05 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,適用于高頻、高效能開關(guān)�(yīng)�。該器件采用增強(qiáng)型常閉(e-mode)設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。其封裝形式為DFN8�2x2mm),有助于減少寄生電感并提高熱性能。RSS095N05 的典型應(yīng)用場景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源適配器、快充解決方案以及其他需要高效率和小尺寸的電力電子系�(tǒng)�
由于其先�(jìn)� GaN 技�(shù),RSS095N05 在高頻操作中表現(xiàn)出色,同�(shí)提供卓越的功率密度和能效。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,RSS095N05 可以顯著降低開關(guān)損耗和�(dǎo)通損�,從而提升系�(tǒng)的整體效能�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷�3nC
輸入電容�1000pF
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于� GaN 器件,不存在體二極管�
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
RSS095N05 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 采用增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)技�(shù),實(shí)�(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更高的開�(guān)頻率�
2. 支持高達(dá) 100V 的漏源電壓,適用于多種中低壓�(yīng)��
3. 高效的熱管理能力,得益于其緊湊的 DFN8 封裝�(shè)�(jì)�
4. 極低的柵極電荷和輸出電荷,使得開�(guān)損耗顯著降��
5. 沒有傳統(tǒng)硅基 MOSFET 中常見的反向恢復(fù)問題,提高了整體系統(tǒng)效率�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保制造流��
這些特性使 RSS095N05 成為�(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換和信號處理�(yīng)用的理想選擇�
RSS095N05 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB-PD 快速充電器和適配器�
2. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
3. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)器、通信�(shè)備和工業(yè)控制�
4. LED �(qū)�(dòng)電路,特別在需要高效率和小體積的設(shè)�(jì)��
5. 無線充電�(fā)射端和接收端模塊�
6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率開�(guān)�
其高效的開關(guān)特性和緊湊的封裝使其非常適合于對空間和效能有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
RGS090N10, EPC2015