RT15N0R3B500CT 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET,基于先進的溝槽式結構技�。該器件適用于高頻開關應用和高效率功率轉(zhuǎn)換場景,具有低導通電阻和快速開關速度的特�。其封裝形式� TO-263(DPAK),適合表面貼裝工藝,廣泛應用于消費電子、通信設備及工�(yè)控制領域�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�58A
導通電阻:3mΩ
柵極電荷�74nC
總電容:1680pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
RT15N0R3B500CT 的主要特性包括超低導通電� (Rds(on)) 和優(yōu)化的開關性能,能夠有效降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,它還具備以下特點:
1. 高雪崩能量能�,確保在過載條件下的可靠��
2. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛設計�
3. 極低的輸入和輸出電容,有助于減少開關延遲時間�
4. 緊湊� DPAK 封裝提高� PCB 布局靈活性,并支持高效散熱管��
5. 可靠性經(jīng)過嚴格的測試驗證,滿足嚴苛的工作�(huán)境需��
這款功率 MOSFET 廣泛用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負載開�、電機驅(qū)動電路、電池保護以及電信和�(wǎng)絡電源模塊等應用�。由于其出色的電氣性能和熱�(wěn)定性,RT15N0R3B500CT 在需要高效能和高可靠性的場景下表�(xiàn)出色�
RT15N0R3B500SL, IRF540N, FDP55N06L