類(lèi)型：N 沓道 MOSFET
　　封裝：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源電壓(VDS)：30V
　　最大柵源電壓(VGS)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(ID)：42A
　　導(dǎo)通電阻(RDS(on))：1.3mΩ
　　柵極電荷(Qg)：37nC
　　總功耗(PD)：384W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

RTQ2130MAGQW-QT 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，僅為 1.3mΩ，可顯著減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高電流處理能力，連續(xù)漏極電流高達(dá) 42A，適合大功率應(yīng)用。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能，柵極電荷低至 37nC，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 耐用性強(qiáng)，工作溫度范圍寬廣（-55℃ 至 175℃），適應(yīng)惡劣環(huán)境。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　6. 封裝形式為 TO-252 (DPAK)，易于安裝并提供良好的散熱性能。

RTQ2130MAGQW-QT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
　　2. 負(fù)載開(kāi)關(guān)，用于快速切換電路狀態(tài)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率控制元件。
　　4. 工業(yè)設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)。
　　5. 汽車(chē)電子中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　6. 各類(lèi)便攜式設(shè)備中的電池管理單元。

RTQ2130MAHQQW-QT, IRF2130, FDP5800