RTQ2130MAGQW-QT 是一款高性能的 N 灃道開(kāi)關(guān) MOSFET,采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,適用于高效率、高密度的電源管理應(yīng)用。
該芯片通常被用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
類(lèi)型:N 沓道 MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(VDS):30V
最大柵源電壓(VGS):±20V
連續(xù)漏極電流(ID):42A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):1.3mΩ
柵極電荷(Qg):37nC
總功耗(PD):384W
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
RTQ2130MAGQW-QT 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 1.3mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高電流處理能力,連續(xù)漏極電流高達(dá) 42A,適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,柵極電荷低至 37nC,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
4. 耐用性強(qiáng),工作溫度范圍寬廣(-55℃ 至 175℃),適應(yīng)惡劣環(huán)境。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
6. 封裝形式為 TO-252 (DPAK),易于安裝并提供良好的散熱性能。
RTQ2130MAGQW-QT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
2. 負(fù)載開(kāi)關(guān),用于快速切換電路狀態(tài)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率控制元件。
4. 工業(yè)設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)。
5. 汽車(chē)電子中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 各類(lèi)便攜式設(shè)備中的電池管理單元。
RTQ2130MAHQQW-QT, IRF2130, FDP5800