RTQ2510GQV-QA(2)是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關應用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消費類電子設備中的高效電源管理�
這款MOSFET通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動器和其他需要高頻開關和低損耗的應用場景。其封裝形式為QFN(四方扁平無引腳封裝),能夠提供卓越的散熱性能和緊湊的設計�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�14A
導通電�(Rds(on))�1.8mΩ(在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�27W
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
封裝形式:QFN-8L�3x3mm�
1. 極低的導通電阻Rds(on),有效降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,支持高頻應�,減少磁性元件尺��
3. 良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行�
4. 小型化的QFN封裝,節(jié)省PCB空間,適合緊湊型設計�
5. 提供�(yōu)異受能力�2kV��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)� DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關
2. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關
3. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊
4. 電機�(qū)動電路中的功率級控制
5. 便攜式設備的高效充電解決方案
6. 工業(yè)自動化設備中的開關電源設�
RTQ2510GQV-PA, IRF7846, FDMQ8203