RU1HE12L是東芝公司生�(chǎn)的一款雙通道N溝道增強型功率MOSFET。這款芯片廣泛�(yīng)用于需要高效率、低功耗的電路�(shè)計中,例如電機驅(qū)�、開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池管理等場�。其采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)性能�
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�43A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�190W
工作溫度范圍Tj�-55� to +175�
RU1HE12L具有非常低的�(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
該芯片具備快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
其封裝形式為TO-264-2L,便于散熱和安裝�
此外,該芯片還具有較強的耐熱能力和較高的可靠�,適用于�(yán)苛的工作條件�
RU1HE12L常用于各種功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中,如不間斷電源(UPS)、太陽能逆變�、電動工具驅(qū)動電路以及電動車控制��
由于其低�(dǎo)通電阻和大電流承載能�,也適合用作同步整流器或�(fù)載開�(guān)�
另外,它還可以在工業(yè)自動化控制領(lǐng)域發(fā)揮重要作�,例如伺服驅(qū)動和機器人控制等方面�
RU1HE10L, IRFZ44N, STP160N06LL