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RUR040N02TL 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 21:56:56 查看 閱讀:12

RUR040N02TL 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用先進的半導(dǎo)體制造工藝。該器件適用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其封裝形式為 TO-263(DPAK),能夠提供良好的散熱性能。
  該 MOSFET 的最大額定電壓為 200V,非常適合于高壓應(yīng)用環(huán)境。同時,其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其成為電源管理、電機驅(qū)動以及各種工業(yè)控制應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流:4A
  導(dǎo)通電阻(典型值):150mΩ
  柵極電荷(典型值):13nC
  總電容(輸入電容):480pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to 175℃
  封裝形式:TO-263(DPAK)

特性

RUR040N02TL 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:200V,確保在高壓條件下的穩(wěn)定運行。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:在特定條件下,導(dǎo)通電阻僅為 150mΩ,從而減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  3. 快速開關(guān)能力:較小的柵極電荷和總電容使其能夠?qū)崿F(xiàn)高速開關(guān)操作,適用于高頻應(yīng)用。
  4. 高可靠性:通過嚴格的測試和篩選流程,保證器件在極端溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。
  5. 良好的熱性能:采用 TO-263 封裝,有助于更有效地散發(fā)熱量,延長使用壽命。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全。

應(yīng)用

RUR040N02TL 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
  3. 工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動和逆變器。
  4. 家用電器中的電磁爐、洗衣機等產(chǎn)品。
  5. 照明系統(tǒng),如 LED 驅(qū)動器。
  6. 各類電池充電器及保護電路。
  由于其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻,該器件特別適合需要高效能與可靠性的高壓開關(guān)應(yīng)用場景。

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP047N06L

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rur040n02tl參數(shù)

  • 特色產(chǎn)品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 4A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TSMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RUR040N02TLTR