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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RZM002P02T2L

RZM002P02T2L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:32:14 查看 閱讀�32

RZM002P02T2L 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)換、DC-DC�(zhuǎn)換器以及高效率電力電子系�(tǒng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率�
  其設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,同�(shí)支持更高的工作頻�,非常適合需要高性能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

型號(hào):RZM002P02T2L
  類型:功率開�(guān)�
  材料:氮化鎵 (GaN)
  額定電壓�650 V
  額定電流�2 A
  �(dǎo)通電阻:2 Ω
  柵極電荷�3 nC
  最大工作溫度:175 °C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  開關(guān)速度:超高�

特�

RZM002P02T2L 具備卓越的性能特點(diǎn),包括但不限于以下方面:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗�
  2. 高速開�(guān)能力,可�(shí)�(xiàn)高達(dá)幾兆赫的工作頻率�
  3. 支持高電壓操作,確保在寬輸入電壓范圍�(nèi)的穩(wěn)定��
  4. �(nèi)置保�(hù)�(jī)制,如過流保�(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)的可靠��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  6. 熱阻較低,有利于高效的熱量管��

�(yīng)�

該芯片適用于多種高效率電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓模塊�
  3. 太陽能微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
  4. 快速充電器和便攜式�(shè)備電源適配器�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和機(jī)器人控制電路�
  6. 通信基站中的電源模塊和配電單��
  RZM002P02T2L 的高效率和小型化�(shè)�(jì)使其成為�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

RZM002P02T3H, RZM002P02T1G

rzm002p02t2l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rzm002p02t2l資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

rzm002p02t2l參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 200mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds115pF @ 10V
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RZM002P02T2L-NDRZM002P02T2LTR