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RZM002P02T2L 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 12:32:14 查看 閱讀：32

RZM002P02T2L 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于高頻電源轉(zhuǎn)換、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及高效率電力電子系統(tǒng)中。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。
　　其設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能，同時(shí)支持更高的工作頻率，非常適合需要高性能和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào)：RZM002P02T2L
　　類型：功率開關(guān)管
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　額定電壓：650 V
　　額定電流：2 A
　　導(dǎo)通電阻：2 Ω
　　柵極電荷：3 nC
　　最大工作溫度：175 °C
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)
　　開關(guān)速度：超高速

特性

RZM002P02T2L 具備卓越的性能特點(diǎn)，包括但不限于以下方面：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高速開關(guān)能力，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)幾兆赫的工作頻率。
　　3. 支持高電壓操作，確保在寬輸入電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。
　　4. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制，如過流保護(hù)和短路保護(hù)，提高了系統(tǒng)的可靠性。
　　5. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
　　6. 熱阻較低，有利于高效的熱量管理。

應(yīng)用

該芯片適用于多種高效率電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，具體包括：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓模塊。
　　3. 太陽能微型逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
　　4. 快速充電器和便攜式設(shè)備電源適配器。
　　5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和機(jī)器人控制電路。
　　6. 通信基站中的電源模塊和配電單元。
　　RZM002P02T2L 的高效率和小型化設(shè)計(jì)使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

RZM002P02T3H, RZM002P02T1G

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rzm002p02t2l資料 更多>

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  • 品牌
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rzm002p02t2l參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C200mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 200mA，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 100µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds115pF @ 10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RZM002P02T2L-NDRZM002P02T2LTR