S-LBC857BN3T5G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,采用小型化的表面貼裝封裝設(shè)�(jì)。該器件具有出色的開�(guān)性能和高頻特�,專為高功率密度�(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于電源適配器、無線充電器以及工業(yè)電源�(zhuǎn)換等�(lǐng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�90nC
反向恢復(fù)�(shí)間:20ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
S-LBC857BN3T5G 具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),能夠顯著減少導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�。同�(shí),其快速的開關(guān)速度和緊湊的封裝形式使其非常適合高頻和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�
此外,這款器件�(nèi)置了過溫保護(hù)功能,并采用了先�(jìn)的場(chǎng)效應(yīng)技�(shù)以提升可靠性與耐用�。相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,它在效率和熱管理方面表�(xiàn)出明顯優(yōu)�(shì)�
由于其卓越的電氣性能和穩(wěn)定�,S-LBC857BN3T5G 成為了現(xiàn)代高效能電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種高性能電力�(zhuǎn)換設(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. 電動(dòng)汽車充電模塊
3. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
6. 筆記本電腦及平板電腦的快充適配器
S-LBC857BN3T5G 的高頻特性和高效的功率傳輸能力使得它特別適合需要高功率密度和低能耗的�(shè)�(jì)方案�
S-LBC857BN3T3G
TOSHIBA TGY10B65Z
INFINEON IPP050N06S4L