最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：10A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　柵極電荷：90nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：20ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

S-LBC857BN3T5G 具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn)，能夠顯著減少導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。同時(shí)，其快速的開關(guān)速度和緊湊的封裝形式使其非常適合高頻和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　此外，這款器件內(nèi)置了過溫保護(hù)功能，并采用了先進(jìn)的場(chǎng)效應(yīng)技術(shù)以提升可靠性與耐用性。相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET，它在效率和熱管理方面表現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。
　　由于其卓越的電氣性能和穩(wěn)定性，S-LBC857BN3T5G 成為了現(xiàn)代高效能電力電子系統(tǒng)中的理想選擇。

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高性能電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
　　2. 電動(dòng)汽車充電模塊
　　3. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　4. 太陽(yáng)能逆變器
　　5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
　　6. 筆記本電腦及平板電腦的快充適配器
　　S-LBC857BN3T5G 的高頻特性和高效的功率傳輸能力使得它特別適合需要高功率密度和低能耗的設(shè)計(jì)方案。

S-LBC857BN3T3G
　　TOSHIBA TGY10B65Z
　　INFINEON IPP050N06S4L