S-LBTN560Z4TZHG 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高�、高效能�(yīng)用場景設(shè)�。該芯片具有出色的開�(guān)性能和低�(dǎo)通電�,適用于高功率密度的�(yīng)用場�。其封裝形式采用了先進的貼片式封�,確保了�(yōu)異的散熱性能和可靠性�
型號:S-LBTN560Z4TZHG
類型:增強型 GaN HEMT
額定電壓�600V
額定電流�4A
�(dǎo)通電阻:75mΩ(典型值)
柵極電荷�13nC(最大值)
開關(guān)頻率:最高支� 5MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-7L
S-LBTN560Z4TZHG 具有卓越的開�(guān)速度和較低的開關(guān)損耗,這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,該器件采用增強型�(shè)�,具備更高的可靠性和�(wěn)定性�
GaN 技�(shù)的應(yīng)用顯著降低了�(dǎo)通電�,從而減少了能量損耗并提高了整體效�。該器件還集成了保護功能,如過流保護和短路保�,進一步增強了其在實際�(yīng)用中的安全性�
其封裝形式經(jīng)過優(yōu)�,能夠有效降低熱�,提升散熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
S-LBTN560Z4TZHG 廣泛�(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)�、電機驅(qū)動電路以及各類工�(yè)自動化控制領(lǐng)域。由于其高效率和低損耗的特點,也適合用于�(shù)�(jù)中心電源、太陽能逆變器以及其他對能耗要求較高的系統(tǒng)��
S-LBTN560Z4TTHG
S-LBTN560Z4TTZ
S-LBTN560Z4TTH