S-LDTD114ELT1G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-263 (D-PAK) 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于各種高效能的電源管理應�。其出色的電氣性能使其成為工業(yè)、消費電子以及通信設備中的理想選擇�
該型號設計用于承受高電流負載,并提供�(wěn)定的開關特�,同時能夠有效降低系�(tǒng)功��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�59A
導通電阻:1.4mΩ
總柵極電荷:78nC
開關時間:ton=9ns, toff=25ns
結溫范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263
S-LDTD114ELT1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少能量損耗,提高整體效率�
2. 高額定電流能力,適合大功率應��
3. 快速開關特性,能夠支持高頻工作�(huán)��
4. 耐熱增強型封裝設�,提高了散熱性能�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這些特點使得該芯片非常適合應用于需要高效功率轉換和低發(fā)熱的場合�
這款 MOSFET 的典型應用場景包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關�
2. 電動機驅動電路中的功率級元件�
3. DC/DC 轉換器中作為同步整流 MOSFET�
4. 電池保護與管理系�(tǒng)中的電子開關�
5. 工業(yè)自動化控制中的負載切��
由于其強大的電流承載能力和高效的開關性能,S-LDTD114ELT1G 廣泛應用于汽車電�、計算機外設及家用電器等領域�
SLLTD114ELT1G
SLLTD114ELT1GA
TPLK114E6W
IRF7728TRPBF