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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > S-LDTD114ELT1G

S-LDTD114ELT1G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 10:45:45 查看 閱讀�9

S-LDTD114ELT1G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-263 (D-PAK) 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于各種高效能的電源管理應�。其出色的電氣性能使其成為工業(yè)、消費電子以及通信設備中的理想選擇�
  該型號設計用于承受高電流負載,并提供�(wěn)定的開關特�,同時能夠有效降低系�(tǒng)功��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�59A
  導通電阻:1.4mΩ
  總柵極電荷:78nC
  開關時間:ton=9ns, toff=25ns
  結溫范圍�-55� � 175�
  封裝形式:TO-263

特�

S-LDTD114ELT1G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少能量損耗,提高整體效率�
  2. 高額定電流能力,適合大功率應��
  3. 快速開關特性,能夠支持高頻工作�(huán)��
  4. 耐熱增強型封裝設�,提高了散熱性能�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
  這些特點使得該芯片非常適合應用于需要高效功率轉換和低發(fā)熱的場合�

應用

這款 MOSFET 的典型應用場景包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關�
  2. 電動機驅動電路中的功率級元件�
  3. DC/DC 轉換器中作為同步整流 MOSFET�
  4. 電池保護與管理系�(tǒng)中的電子開關�
  5. 工業(yè)自動化控制中的負載切��
  由于其強大的電流承載能力和高效的開關性能,S-LDTD114ELT1G 廣泛應用于汽車電�、計算機外設及家用電器等領域�

替代型號

SLLTD114ELT1G
  SLLTD114ELT1GA
  TPLK114E6W
  IRF7728TRPBF

s-ldtd114elt1g推薦供應� 更多>

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