S-LDTD123YLT1G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,能夠提供卓越的開(kāi)�(guān)性能和穩(wěn)定�。其�(shè)�(jì)適合在汽車電子、工�(yè)電源、消�(fèi)類電子等�(lǐng)域中使用�
型號(hào):S-LDTD123YLT1G
類型:N-Channel MOSFET
漏源電壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�140A
柵極電荷(Qg)�75nC
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to 175�
最大功耗:290W
S-LDTD123YLT1G 的主要特性包括高電流處理能力、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)速度。這些特點(diǎn)使其非常適合用于大功率應(yīng)用場(chǎng)�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、逆變器等。此�,它還具有較低的熱阻,確保在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
該芯片采用的材料和技�(shù)能夠有效降低能�,同�(shí)具備出色的可靠性和耐用性。通過(guò)�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),�(jìn)一步提升了效率并減少了�(kāi)�(guān)損耗�
由于其堅(jiān)固的�(shè)�(jì)和廣泛的溫度適應(yīng)范圍,這款MOSFET能夠在極端條件下正常�(yùn)行,為系�(tǒng)提供了更高的安全保障�
S-LDTD123YLT1G 廣泛�(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中,例如電�(dòng)汽車中的牽引逆變器、太�(yáng)能逆變�、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)以及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的大功率電源模塊�
此外,它還可用于音頻放大�、焊接設(shè)備以及其他需要大電流輸出的應(yīng)用領(lǐng)�。憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),該芯片成為許多工程師在�(shè)�(jì)高效�、高可靠性電路時(shí)的首選方��
S-LDTD123HLT1G, IRFB4110TRPBF, FDP158N06EL