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S-LMBT5551LT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 11:12:08 查看 閱讀：11

S-LMBT5551LT1G 是一款雙極型晶體管 (Bipolar Junction Transistor, BJT)，由安森美（ON Semiconductor）制造。該器件具有低電容和高切換速度的特點(diǎn)，適合用于高頻開(kāi)關(guān)電路和信號(hào)放大應(yīng)用。它采用了 SOT-23 小型封裝形式，有助于節(jié)省印刷電路板空間，并且支持表面貼裝技術(shù) (SMT)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

參數(shù)

集電極-發(fā)射極擊穿電壓：30V
　　集電極電流：-200mA
　　直流電流增益 (hFE)：100（最小值）
　　過(guò)渡頻率 (fT)：750MHz
　　功耗：340mW
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

S-LMBT5551LT1G 具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高速切換性能，適用于高頻應(yīng)用。
　　2. 超低電容設(shè)計(jì)，減少信號(hào)失真。
　　3. 采用 SOT-23 封裝，體積小巧，易于集成到緊湊型設(shè)計(jì)中。
　　4. 支持表面貼裝技術(shù) (SMT)，提高生產(chǎn)效率。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍，確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 提供較高的直流電流增益 (hFE)，實(shí)現(xiàn)更有效的信號(hào)放大。

應(yīng)用

S-LMBT5551LT1G 廣泛應(yīng)用于需要高速切換和信號(hào)放大的場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 高頻開(kāi)關(guān)電路。
　　2. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)調(diào)理。
　　3. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的音頻放大器。
　　4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的信號(hào)處理模塊。
　　5. 自動(dòng)化設(shè)備中的傳感器接口電路。
　　6. 無(wú)線(xiàn)通信模塊的射頻前端電路。

替代型號(hào)

MMBT5551LT1G

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
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