S-LMBT5551LT1G 是一款雙極型晶體管 (Bipolar Junction Transistor, BJT),由安森美(ON Semiconductor)制造。該器件具有低電容和高切換速度的特點(diǎn),適合用于高頻開(kāi)關(guān)電路和信號(hào)放大應(yīng)用。它采用了 SOT-23 小型封裝形式,有助于節(jié)省印刷電路板空間,并且支持表面貼裝技術(shù) (SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)。
集電極-發(fā)射極擊穿電壓:30V
集電極電流:-200mA
直流電流增益 (hFE):100(最小值)
過(guò)渡頻率 (fT):750MHz
功耗:340mW
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
S-LMBT5551LT1G 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 高速切換性能,適用于高頻應(yīng)用。
2. 超低電容設(shè)計(jì),減少信號(hào)失真。
3. 采用 SOT-23 封裝,體積小巧,易于集成到緊湊型設(shè)計(jì)中。
4. 支持表面貼裝技術(shù) (SMT),提高生產(chǎn)效率。
5. 廣泛的工作溫度范圍,確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 提供較高的直流電流增益 (hFE),實(shí)現(xiàn)更有效的信號(hào)放大。
S-LMBT5551LT1G 廣泛應(yīng)用于需要高速切換和信號(hào)放大的場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 高頻開(kāi)關(guān)電路。
2. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)調(diào)理。
3. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的音頻放大器。
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的信號(hào)處理模塊。
5. 自動(dòng)化設(shè)備中的傳感器接口電路。
6. 無(wú)線(xiàn)通信模塊的射頻前端電路。
MMBT5551LT1G