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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > S30ML02GP30TFE50

S30ML02GP30TFE50 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 13:42:58 查看 閱讀�12

S30ML02GP30TFE50 是一款基� Silicon Carbide (SiC) 技�(shù)� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片具有出色的熱性能和電氣特�,適用于工業(yè)電源、電�(dòng)汽車�(qū)�(dòng)器、太�(yáng)能逆變器等高性能需求領(lǐng)��
  � SiC 材料提供了比傳統(tǒng)硅基器件更高的擊穿電�、更低的�(dǎo)通電阻以及更快的開關(guān)速度,從而顯著提高了系統(tǒng)的整體效率和功率密度�

參數(shù)

型號(hào):S30ML02GP30TFE50
  類型:MOSFET
  材料:Silicon Carbide (SiC)
  VDS(漏源極耐壓):1200 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.0 mΩ
  IDS(最大漏極電流)�30 A
  柵極電荷�80 nC
  功耗:40 W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

S30ML02GP30TFE50 的主要特�(diǎn)是采用了先�(jìn)� SiC 技�(shù),使其具備以下優(yōu)�(shì)�
  1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 1200V 的漏源極電壓,適合高壓環(huán)境下的開�(guān)操作�
  2. 低導(dǎo)通損耗:僅有 2.0 mΩ � RDS(on),大幅降低了�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
  3. 快速開�(guān)性能:得益于 SiC 材料的優(yōu)異特�,此器件擁有非常低的柵極電荷和開�(guān)�(shí)間,能夠有效減少開關(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55� � +175� 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適�(yīng)極端�(huán)境條��
  5. 小尺寸與高功率密度:相較于傳�(tǒng)硅基 MOSFET,SiC 器件能夠在更小的體積�(nèi)提供更高的功率處理能力�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效率和高頻工作的�(chǎng)�,包括但不限于:
  1. 工業(yè)電源�(zhuǎn)換系�(tǒng),如不間斷電源(UPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器等�
  2. 新能源領(lǐng)�,例如太�(yáng)能逆變�、風(fēng)力發(fā)電變流器�
  3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器和牽引逆變��
  4. 高頻 DC-AC � AC-DC �(zhuǎn)換器,用于消�(fèi)電子或數(shù)�(jù)中心供電解決方案�
  5. 充電樁和快速充電設(shè)備中的功率管理模塊�

替代型號(hào)

S30ML01GP30TFE50, C2M0080120D, FFC046N120T

s30ml02gp30tfe50推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)