S3JB-13-F是一款高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該型號屬于N溝道增強型MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
總功耗:180W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-247
S3JB-13-F采用先進的制造工�,具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低功率損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 高雪崩擊穿能量能�,增強了器件的魯棒��
4. �(nèi)置反向二極管,適用于同步整流和續(xù)流電��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
6. 支持高電流密度設(shè)�,減少系�(tǒng)元件�(shù)��
這款功率MOSFET主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 電動汽車和混合動力汽車中的DC/DC�(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
6. 各種電池充電管理電路�
S3JB-13-E, S3JB-14-F, IRFZ44N, FDP55N06L