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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > S70GL02GS11FHI010

S70GL02GS11FHI010 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 17:46:31 查看 閱讀�24

S70GL02GS11FHI010 是一款由三星(Samsung)推出的 NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲�(yīng)�。該芯片采用 3D TLC(Triple-Level Cell)技�(shù),具備高密度和高性能的特�,適用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)存儲需求�
  這款芯片具有出色的可靠性和耐用�,能夠滿足長時間運行和高頻次讀寫的需求。其�(shè)計優(yōu)化了功耗與性能之間的平�,適合需要大容量存儲但對能耗有嚴格要求的應(yīng)用場��

參數(shù)

容量�256GB
  接口:Toggle DDR 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�169
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
  擦寫次數(shù)�3000 次(典型值)
  工作溫度范圍�-25� � +85�
  存儲溫度范圍�-40� � +125�

特�

S70GL02GS11FHI010 芯片采用了先進的 3D NAND 技�(shù),相比傳�(tǒng)平面 NAND 提供了更高的存儲密度和更低的單位成本。以下是其主要特性:
  - 高容量:單顆芯片即可提供 256GB 的存儲空��
  - 快速接口:支持 Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,數(shù)�(jù)傳輸速率高達 400MT/s�
  - 低功耗設(shè)計:通過�(yōu)化電路架�(gòu),顯著降低芯片在讀寫操作中的功��
  - 可靠性高:具備強大的 ECC(Error Correction Code)糾錯功�,確保數(shù)�(jù)完整性和可靠��
  - 多樣化應(yīng)用:適用� SSD、UFS、eMMC 等多種存儲解決方��
  - 工業(yè)級溫度范圍:能夠在極端溫度條件下�(wěn)定工作,適合戶外或工�(yè)�(huán)境使��

�(yīng)�

S70GL02GS11FHI010 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲介質(zhì),提供高速和大容量的�(shù)�(jù)存儲能力�
  - 嵌入式系�(tǒng):為物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�、工�(yè)控制器等提供可靠的存儲支��
  - 移動�(shè)備:用于智能手機和平板電腦中� UFS � eMMC 模塊�
  - �(shù)�(jù)記錄�(shè)備:如行車記錄儀、監(jiān)控攝像頭等需要長期存儲數(shù)�(jù)的設(shè)��
  - �(yī)療設(shè)備:支持�(yī)療影像存儲和其他�(guān)鍵數(shù)�(jù)的保存�

替代型號

KLD31GQGAANP, H27UCG8T2CTR, MX30UF1G48AC

s70gl02gs11fhi010推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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s70gl02gs11fhi010參數(shù)

  • 制造商Spansion Inc.
  • 封裝Tray