SA571DR2G是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等需要高效率和低損耗的�(chǎng)�。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),能夠提供出色的�(dǎo)通特性和�(kāi)�(guān)性能�
該芯片的�(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備對(duì)高效能和高可靠性的需�,其封裝形式為T(mén)O-220,適合表面貼裝或通孔安裝,便于在各種電路板上的應(yīng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
柵極閾值電壓:2V~4V
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
總功耗:160W
工作溫度范圍�-55℃~175�
SA571DR2G具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒�,能夠在異常條件下保�(hù)電路�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下保持良好的性能�
5. �(nèi)置反向二極管,有助于提高系統(tǒng)的整體效率并�(jiǎn)化設(shè)�(jì)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色設(shè)�(jì)需��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的H橋或半橋配置�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路中的快速切換元��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的大電流開(kāi)�(guān)組件�
IRF540N
STP36NF06L
FDP5710