SAFEA2G65FN0F00 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高效應用設計。該器件采用增強型結(jié)�(gòu),具有低導通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓的特點,非常適合用于電源�(zhuǎn)�、無線充�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用場景�
SAFEA2G65FN0F00 使用了先進的封裝技�(shù)以優(yōu)化熱性能和電氣性能,同時其零反向恢復電荷特性使其在高頻工作條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的效率�
額定電壓�650V
額定電流�140A
導通電阻:40mΩ
柵極電荷�80nC
輸入電容�1350pF
反向恢復時間:無(零反向恢復電荷�
最大工作結(jié)溫:175�
1. 基于氮化鎵材料,具備更高的電子遷移率和更低的導通損��
2. 零反向恢復電荷特性確保高頻工作時的效率最大化�
3. 低導通電阻(Rds(on))降低導通損�,提升整體能��
4. 快速開�(guān)能力,支持高達數(shù)兆赫茲的工作頻率�
5. 具備短路保護功能,增強系�(tǒng)可靠��
6. 封裝形式緊湊,有助于減少PCB占用空間并簡化散熱設��
1. 高效電源�(zhuǎn)換器(如服務器電�、通信電源��
2. 無線充電模塊,特別適用于大功率無線充電設��
3. 新能源汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器和車載充電器�
4. 工業(yè)電機�(qū)動與變頻器控��
5. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)應用�
GaN Systems GS66518T
EPC2052
Transphorm TP65H030WS