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時(shí)間：2025/4/30 17:34:31
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SAFEB1G57KE0F00R15 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的 MOSFET 功率晶體管，專為高功率密度和高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的 SiC 技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，同時(shí)支持更高的工作電壓和溫度范圍。它適用于工業(yè)電源、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等對(duì)效率和可靠性要求較高的場(chǎng)景。
該器件具有強(qiáng)大的短路耐受能力，并集成了全面的保護(hù)功能，如以確保系統(tǒng)的安全運(yùn)行。其封裝形式通常為 TO-247 或類似類型，適合表面貼裝或通過螺釘安裝。
額定電壓：1200V
額定電流：80A
導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
柵極電荷：150nC
開關(guān)頻率：高達(dá) 100kHz
結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
SAFEB1G57KE0F00R15 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 基于碳化硅 (SiC) 材料，具備出色的高溫性能和低能量損耗。
2. 超低導(dǎo)通電阻 (3.5mΩ)，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度，支持高頻操作，減少磁性元件體積并提高功率密度。
4. 高額定電壓 (1200V)，適用于高壓環(huán)境下的電力電子轉(zhuǎn)換。
5. 內(nèi)置短路保護(hù)和熱關(guān)斷功能，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
6. 支持寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，相比傳統(tǒng)硅基器件效率更高且散熱需求更低。
這款 MOSFET 主要應(yīng)用于需要高效率和高可靠性的場(chǎng)景，具體包括：
1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及變頻器控制。
2. 太陽能光伏逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)。
3. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器。
4. 不間斷電源 (UPS) 和其他高功率電源模塊。
5. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
6. 任何涉及高頻開關(guān)和高壓工作的電力電子設(shè)備。
C2M0080120D, STGG80H12MD, FFMA80120W
