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SAFFB2G01AA0F0A 發(fā)布時間 時間:2025/5/9 18:00:32 查看 閱讀:22

SAFFB2G01AA0F0A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場景。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。
  其封裝形式為 LFPAK88,具有良好的散熱性能,適用于對可靠性要求較高的工業(yè)及汽車電子領域。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:137A
  導通電阻:0.45mΩ
  柵極電荷:119nC
  開關速度:快速
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

SAFFB2G01AA0F0A 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),能夠在大電流應用中顯著降低功耗。
  2. 高雪崩能力,增強了器件在異常情況下的魯棒性。
  3. 緊湊型 LFPAK88 封裝,支持高效的表面貼裝技術 (SMT) 并提供優(yōu)異的熱性能。
  4. 寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 到 +175°C),適應惡劣環(huán)境的應用需求。
  5. 符合 AEC-Q101 標準,確保在汽車級應用中的可靠性。
  6. 出色的動態(tài)性能,適合高頻開關應用。

應用

SAFFB2G01AA0F0A 可用于以下應用:
  1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 的電機驅動器。
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路。
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉換。
  5. 各種需要高效功率管理的場合,如服務器電源、通信電源等。

替代型號

SAFFB2G01AA0F0B, SAFFB2G01AA0F0C

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