時間：2025/5/9 18:00:32
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SAFFB2G01AA0F0A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場景。該芯片采用先進的制造工藝，具備低導通電阻和高效率的特點，能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。
其封裝形式為 LFPAK88，具有良好的散熱性能，適用于對可靠性要求較高的工業(yè)及汽車電子領域。
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：137A
導通電阻：0.45mΩ
柵極電荷：119nC
開關速度：快速
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
SAFFB2G01AA0F0A 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，能夠在大電流應用中顯著降低功耗。
2. 高雪崩能力，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
3. 緊湊型 LFPAK88 封裝，支持高效的表面貼裝技術 (SMT) 并提供優(yōu)異的熱性能。
4. 寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 到 +175°C)，適應惡劣環(huán)境的應用需求。
5. 符合 AEC-Q101 標準，確保在汽車級應用中的可靠性。
6. 出色的動態(tài)性能，適合高頻開關應用。
SAFFB2G01AA0F0A 可用于以下應用：
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 的電機驅動器。
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉換。
5. 各種需要高效功率管理的場合，如服務器電源、通信電源等。
SAFFB2G01AA0F0B, SAFFB2G01AA0F0C
