SAHRT1G73BA0B0A 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)特性和高可靠性等�(yōu)�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,支持高頻開(kāi)�(guān)操作,并具備出色的熱性能,適用于各種�(yán)苛的工作�(huán)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�50A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�1.4mΩ(典型�,在VGS=10V�(shí)�
總柵極電�(Qg)�85nC
輸入電容(Ciss)�4380pF
輸出電容(Coss)�95pF
反向傳輸電容(Crss)�48pF
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
SAHRT1G73BA0B0A 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低導(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,可滿足高頻�(yīng)用需�,減少開(kāi)�(guān)損��
3. 高電流承載能�,確保在大負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
4. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間工��
5. �(qiáng)大的雪崩耐量和魯棒�,增�(qiáng)了器件的可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)要求�
SAHRT1G73BA0B0A 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器�
3. 太陽(yáng)能微逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)�
4. 電動(dòng)汽車(EV) 和混合動(dòng)力汽�(HEV) 的電力電子模塊�
5. UPS 不間斷電源和其他高效能電源管理設(shè)��
6. 各種需要大電流、高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)��
SAHRT1G73BA0B0T, SAHRT1G73BA0B0S