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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SAHRT1G73BA0B0A

SAHRT1G73BA0B0A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 16:06:51 查看 閱讀�43

SAHRT1G73BA0B0A 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)特性和高可靠性等�(yōu)�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,支持高頻開(kāi)�(guān)操作,并具備出色的熱性能,適用于各種�(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�50A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�1.4mΩ(典型�,在VGS=10V�(shí)�
  總柵極電�(Qg)�85nC
  輸入電容(Ciss)�4380pF
  輸出電容(Coss)�95pF
  反向傳輸電容(Crss)�48pF
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�

特�

SAHRT1G73BA0B0A 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低導(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 快速開(kāi)�(guān)特�,可滿足高頻�(yīng)用需�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 高電流承載能�,確保在大負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間工��
  5. �(qiáng)大的雪崩耐量和魯棒�,增�(qiáng)了器件的可靠性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)要求�

�(yīng)�

SAHRT1G73BA0B0A 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器�
  3. 太陽(yáng)能微逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)�
  4. 電動(dòng)汽車(EV) 和混合動(dòng)力汽�(HEV) 的電力電子模塊�
  5. UPS 不間斷電源和其他高效能電源管理設(shè)��
  6. 各種需要大電流、高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SAHRT1G73BA0B0T, SAHRT1G73BA0B0S

sahrt1g73ba0b0a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)