SAWEN881MCM2F00R14是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻、高效能應用設計。該型號由知名半導體制造商生產(chǎn),廣泛應用于射頻功率放大�、無線通信設備及雷達系�(tǒng)等領�。其核心�(yōu)勢在于卓越的開關速度和低導通電阻特性,使其在高頻場景中表現(xiàn)出色�
該器件采用先進的封裝工藝,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運�,并提供較高的電流密度和較低的熱��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�14A
導通電阻:5mΩ
柵極電荷�35nC
開關頻率:高�200MHz
熱阻�1°C/W
封裝形式:TO-247-4L
1. 高效的開關性能,能夠顯著降低能量損��
2. 超低導通電�,減少傳導損耗并提升整體效率�
3. 快速開關速度,適用于高頻應用場景�
4. 先進的散熱設計,確保長時間�(wěn)定工��
5. 內置ESD保護功能,提高系�(tǒng)的可靠性�
6. 支持高電流輸�,滿足大功率需��
7. 寬禁帶材料(如GaN)的應用,提供更高的擊穿電壓和更低的損��
1. 射頻功率放大器設�,用于基站和其他通信設備�
2. 工業(yè)加熱設備中的高頻電源模塊�
3. 雷達系統(tǒng)中的功率放大單元�
4. �(yī)療設備中的高頻發(fā)生器�
5. 高效DC-DC轉換器的核心元件�
6. 新能源汽車中的車載充電器和逆變器組��
7. 大功率LED驅動電路設計�
SAWEN881MCM2F00R10, SAWEN881MCM2F00R12, SAWEN881MCM2F00R16