SAWEN881MCY0F00R 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率、高頻功率晶體管。該器件采用先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),適用于高頻率應(yīng)用場(chǎng)�,如�(wú)線充電、D類音頻放大器和射頻功率放大器�。其核心�(yōu)�(shì)在于能夠提供卓越的開(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻,從而提高整體系�(tǒng)效率�
這款 GaN 器件集成了增�(qiáng)模式�(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode FET),能夠在高頻工作條件下保持�(wěn)定的性能,同�(shí)減少寄生電感和電容的影響,非常適合要求高效能和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)��
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體�
最大漏源電�(VDS)�100V
最大柵源電�(VGS)�6V
最大漏極電�(ID)�15A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�45mΩ
柵極電荷(Qg)�35nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)5MHz
工作溫度范圍�-40℃至+125�
封裝形式:LLP8 封裝
SAWEN881MCY0F00R 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高效的開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá)5MHz的工作頻�,適用于高頻電源�(zhuǎn)換�
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅45mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并增�(qiáng)了可靠��
4. 小型化的 LLP8 封裝,適合緊湊型�(shè)�(jì)需��
5. 良好的熱性能表現(xiàn),保證在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
6. 出色的抗電磁干擾能力,適用于�(duì)噪聲敏感的應(yīng)用環(huán)��
7. �(wěn)定性高,可承受較高的漏源電壓和較大的漏極電��
該芯片廣泛應(yīng)用于多種高頻功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(wú)線充電設(shè)備,提供高效的能量傳��
2. D類音頻放大器,用于提升音頻信�(hào)處理效率�
3. 射頻功率放大器,滿足通信基站和雷�(dá)系統(tǒng)的需��
4. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,實(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和高效轉(zhuǎn)��
5. LED照明�(qū)�(dòng)�,為大功率LED燈提供穩(wěn)定供��
6. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源,提高能源利用效率�
7. 電動(dòng)汽車充電�,支持快速充電功��
SAWEN880MCY0F00R, SAWEN882MCY0F00R