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SAYFH733MBA0F0A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 10:00:45 查看 閱讀:24

SAYFH733MBA0F0A是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升電路效率并降低能耗。
  這款芯片特別適用于需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合,例如消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):38A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷(Qg):70nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):1900pF(典型值)
  總功耗(Ptot):170W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+175℃

特性

SAYFH733MBA0F0A的主要特點(diǎn)是其卓越的電氣性能和可靠性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ),可顯著減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 具備強(qiáng)大的電流承載能力,最大支持38A連續(xù)漏極電流。
  4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)芯片抗靜電能力。
  5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間,同時(shí)具備良好的散熱性能。
  6. 工作溫度范圍寬廣(-55℃至+175℃),適應(yīng)多種惡劣環(huán)境條件。

應(yīng)用

該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開關(guān)。
  5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理單元,如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)等。

替代型號(hào)

SAYFH733MBB0F0A, IRF7844, FDP5500

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