SBAS21DW5T1G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等場景。該芯片以其高效�、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度而著稱,能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對節(jié)能和小型化的需��
這款器件屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,主要面向中高電壓應(yīng)用場�,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
型號:SBAS21DW5T1G
類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源極電壓(VDS):60V
最大柵源極電壓(VGS):±20V
連續(xù)漏極電流(ID):5A
�(dǎo)通電阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型�,在 VGS=10V 時)
總功耗(Ptot):23W
工作溫度范圍(TJ):-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263 (DPAK)
SBAS21DW5T1G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,可有效降低開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下具有更好的魯棒��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高芯片在惡劣�(huán)境中的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 小型化的封裝,便� PCB 布局�(shè)計并節(jié)省空��
SBAS21DW5T1G 的典型應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和功率級開關(guān)�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代方案�
3. 電機(jī)�(qū)動中的橋式電路元��
4. 各類�(fù)載開�(guān),用于動�(tài)�(diào)節(jié)電流�?qū)崿F(xiàn)過流保護(hù)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的繼電器替代�,提供更高效和可靠的解決方案�
6. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)和電�(jī)控制器組��
IRF540N, FDP5580, AO3400