SCT205K601A3B25-F 是一款高性能� SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半�(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于高頻和高功率場景。該器件具有較低的導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的高溫穩(wěn)定性,適合用于新能源汽�、光伏逆變�、不間斷電源(UPS)以及其他工�(yè)�(lǐng)域中的高效電力轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
SiC 材料因其卓越的物理特�,使� SCT205K601A3B25-F 在高頻工作條件下依然保持較低的能量損�,同時支持更高的電壓等級和更小的封裝尺寸�
額定電壓�1200V
額定電流�25A
�(dǎo)通電阻:60mΩ
柵極電荷�95nC
輸入電容�1240pF
反向恢復(fù)時間�40ns
工作溫度范圍�-55� � 175�
1. 高頻性能:得益于 SiC 技�(shù),該器件能夠以比傳統(tǒng) Si 器件更高的頻率運�,從而減少無源元件的體積和重��
2. 高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻和低開�(guān)損耗確保在各種負載條件下都能實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
3. 熱穩(wěn)定性:能夠在高� 175� 的結(jié)溫下�(wěn)定工�,非常適合高溫環(huán)境應(yīng)��
4. 快速開�(guān):具備超短的反向恢復(fù)時間和低柵極電荷,從而降低開�(guān)損耗并提升整體效率�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的�(zhì)量測�,適用于對長期穩(wěn)定性有較高要求的工�(yè)級應(yīng)用�
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SCT2080K120A3B25-F, C2M0025120D, FFNH10T12_SiCF2