SCT30N120 是一款基于碳化硅(SiC)技術的 MOSFET,由深圳基本半導體有限公司生�。該器件具有高耐壓、低導通電阻和快速開關速度等特�,適用于高頻、高效能功率轉換應用。其封裝形式通常� TO-247-3,適合工�(yè)級和商業(yè)級應用場景�
額定電壓�1200V
額定電流�30A
導通電阻:90mΩ
柵極電荷�85nC
反向恢復時間�60ns
工作結溫范圍�-55� � +175�
SCT30N120 使用 SiC 材料制�,具備比傳統硅基 MOSFET 更優(yōu)越的性能�
1. 高耐壓能力�1200V 的額定電壓使其非常適合高壓應用環(huán)境�
2. 低導通電阻:僅為 90mΩ,有助于減少傳導損耗并提高效率�
3. 快速開關速度:由于其較低的柵極電荷(85nC),能夠實現更快的開關切�,減少開關損耗�
4. 寬溫度范圍:支持� -55� � +175� 的工作結�,適應各種惡劣環(huán)境�
5. 小巧封裝:TO-247-3 封裝設計簡化了安裝過�,并提供了良好的散熱性能�
6. �(wěn)定性高:在高頻運行時保持穩(wěn)�,適用于復雜的電力電子系��
SCT30N120 主要應用于需要高效能和高頻操作的領域�
1. 太陽能逆變器:用于將直流電轉換為交流電,提供更高的轉換效率�
2. 電動汽車(EV)充電設備:支持快速充電站中的高效功率轉換�
3. 不間斷電源(UPS):提供可靠�(wěn)定的后備電源解決方案�
4. 工業(yè)電機驅動:實現精確控制與高效能源管理�
5. 開關電源(SMPS):適用于各種高性能開關模式電源設計�
6. 電信基礎設施:如基站電源等對可靠性要求較高的場景�
C3M0080120D, SCT35N120