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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SCT30N120

SCT30N120 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 9:57:42 查看 閱讀�25

SCT30N120 是一款基于碳化硅(SiC)技術的 MOSFET,由深圳基本半導體有限公司生�。該器件具有高耐壓、低導通電阻和快速開關速度等特�,適用于高頻、高效能功率轉換應用。其封裝形式通常� TO-247-3,適合工�(yè)級和商業(yè)級應用場景�

參數

額定電壓�1200V
  額定電流�30A
  導通電阻:90mΩ
  柵極電荷�85nC
  反向恢復時間�60ns
  工作結溫范圍�-55� � +175�

特�

SCT30N120 使用 SiC 材料制�,具備比傳統硅基 MOSFET 更優(yōu)越的性能�
  1. 高耐壓能力�1200V 的額定電壓使其非常適合高壓應用環(huán)境�
  2. 低導通電阻:僅為 90mΩ,有助于減少傳導損耗并提高效率�
  3. 快速開關速度:由于其較低的柵極電荷(85nC),能夠實現更快的開關切�,減少開關損耗�
  4. 寬溫度范圍:支持� -55� � +175� 的工作結�,適應各種惡劣環(huán)境�
  5. 小巧封裝:TO-247-3 封裝設計簡化了安裝過�,并提供了良好的散熱性能�
  6. �(wěn)定性高:在高頻運行時保持穩(wěn)�,適用于復雜的電力電子系��

應用

SCT30N120 主要應用于需要高效能和高頻操作的領域�
  1. 太陽能逆變器:用于將直流電轉換為交流電,提供更高的轉換效率�
  2. 電動汽車(EV)充電設備:支持快速充電站中的高效功率轉換�
  3. 不間斷電源(UPS):提供可靠�(wěn)定的后備電源解決方案�
  4. 工業(yè)電機驅動:實現精確控制與高效能源管理�
  5. 開關電源(SMPS):適用于各種高性能開關模式電源設計�
  6. 電信基礎設施:如基站電源等對可靠性要求較高的場景�

替代型號

C3M0080120D, SCT35N120

sct30n120推薦供應� 更多>

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sct30n120參數

  • 現有數量0現貨查看交期
  • 價格1 : �194.93000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • 產品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�SiCFET(碳化硅�
  • 漏源電壓(Vdss�1200 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)40A(Tc�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�20V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)100 毫歐 @ 20A�20V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA(標準)
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)105 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V�-10V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1700 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)270W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 200°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封�HiP247?
  • 封裝/外殼TO-247-3