SDINDDH6-128G-XA 是一款高性能的工�(yè)� NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲應用。該型號屬于三星電子(Samsung)推出的 V-NAND 系列,采用先進的 TLC(Triple-Level Cell)技�,提供大容量和高可靠性的存儲解決方案�
此芯片廣泛應用于嵌入式系�(tǒng)、固�(tài)硬盤(SSD�、監(jiān)控設備以及工�(yè)控制領域。其設計注重耐用性和�(wěn)定�,適用于需要頻繁讀寫操作的工作�(huán)境�
容量�128GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
存儲單元類型:TLC
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可� 533 MT/s
擦寫壽命:約 30形式:BGA 169 �
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保存時間:超� 10 �
SDINDDH6-128G-XA 具備以下主要特性:
1. 高密度存儲能�,能夠在小型封裝中實�(xiàn)大容量存��
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口�(xié)�,確保高速數(shù)�(jù)傳輸性能�
3. 使用 TLC 技�,在成本效益與性能之間取得平衡�
4. 工業(yè)級工作溫度范�,適合極端環(huán)境下的穩(wěn)定運行�
5. 提供較長的數(shù)�(jù)保存時間和較高的擦寫壽命,滿足關鍵任務型應用場景的需��
6. �(nèi)� ECC(Error Correction Code)引�,有效降低數(shù)�(jù)錯誤率,提升整體可靠��
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
該芯片的應用場景包括但不限于�
1. 嵌入式系�(tǒng)的內(nèi)部存儲擴��
2. 固態(tài)硬盤(SSD)的設計與制造�
3. 視頻�(jiān)控系�(tǒng)的連續(xù)錄像存儲�
4. 工業(yè)自動化設備中的程序和�(shù)�(jù)存儲�
5. �(yī)療設備及汽車電子領域的非易失性存儲需求�
6. 任何對存儲容�、速度和可靠性有較高要求的產(chǎn)品開�(fā)�
SDINDDH5-128G-XA
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