SDP10G65C 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用先�(jìn)的制造工�,專為高�、高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損耗,適用于需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�
SDP10G65C 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),這使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同�(shí)保持較低的熱耗散。此外,該器件還具備良好的雪崩能力和抗靜電能�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.4Ω
總柵極電�(Qg)�35nC
輸入電容(Ciss)�1800pF
輸出電容(Coss)�75pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�80ns
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�
SDP10G65C 具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高�(dá) 650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 0.4Ω,可有效降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:總柵極電荷低至 35nC,確保高頻應(yīng)用中的低�(kāi)�(guān)損耗�
4. �(wěn)定性強(qiáng):具備良好的雪崩能量吸收能力,能夠在短路或異常情況下提供保護(hù)�
5. 抗靜電能力強(qiáng):符合人體模� (HBM) � 2kV 的抗靜電�(biāo)�(zhǔn)�
6. 小型化封裝:通常采用 DPAK � TO-220 封裝形式,方便集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
SDP10G65C 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制和�(qū)�(dòng)各種類型的電�(jī)�
3. LED �(qū)�(dòng)器:為高亮度 LED 提供高效供電方案�
4. 太陽(yáng)能逆變器:在光伏系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)高效的直流到交流�(zhuǎn)��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS):用于電池充放電控制和保�(hù)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如變頻器、伺服驅(qū)�(dòng)器等�
IRFP250N, STP10NK65Z