SE03N6T01GZ 是一款高性能� N 溝道增強型功� MOSFET,廣泛應用于需要高效能開關的場景中。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�,適合在高頻開關應用中使��
SE03N6T01GZ 的封裝形式通常� TO-220 � DPAK �,便于散熱管理,適用于電源管�、電機驅動、負載開關等場合�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�3A
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型值)�45mΩ
總功耗:40W
工作溫度范圍�-55� � +150�
SE03N6T01GZ 具有低導通電�,可以顯著降低功率損�,提高整體效��
該器件還具有快速開關性能,適合高頻應用環(huán)�,同時內置了多種保護機制,如過流保護和熱關斷功能,以確保長期可靠運行�
其緊湊的封裝形式使得安裝更加靈活,特別適用于對空間要求較高的設計場景�
此外,SE03N6T01GZ 支持較寬的工作溫度范�,能夠在極端條件下穩(wěn)定工��
SE03N6T01GZ 廣泛應用� DC-DC 轉換器、開關電�、電池管理系�(tǒng)、電機控制、LED 驅動器以及其他需要高效能開關的應用中�
它也常被用于工業(yè)自動化設�、通信設備以及消費類電子產(chǎn)品中,特別是在需要高效率和低�(fā)熱的場合�
IRF540N
STP36NF06
FQP30N06L