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SE05N6S01HB 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 19:48:27 查看 閱讀:8

SE05N6S01HB 是一款高性能的功率 MOSFET,采用 N 溝道增強型技術(shù)。該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用和高效率電源轉(zhuǎn)換場景,具有低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點。其封裝形式為 TO-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,能夠有效提升電路性能并減少整體設(shè)計尺寸。
  該芯片在汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等場景下表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:48A
  導通電阻:3.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷:79nC(典型值)
  開關(guān)頻率:最高支持 1MHz
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特性

SE05N6S01HB 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可顯著降低功耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,支持高達 1MHz 的工作頻率,適合高頻應(yīng)用。
  3. 出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  4. 強大的過流能力和魯棒性,適用于嚴苛的工作條件。
  5. 小型化的 DPAK 封裝,便于 PCB 布局和組裝。
  6. 符合 AEC-Q101 標準,確保在汽車級應(yīng)用中的可靠性。
  7. 提供全面的保護功能,如短路保護、過溫保護等,進一步增強了器件的安全性。

應(yīng)用

SE05N6S01HB 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電機控制器。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開關(guān)和電源管理模塊。
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器。
  5. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)動電路。
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
  7. 數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域的服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備電源模塊。

替代型號

IRFZ44N, FDP5800, AO3400

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