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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SE08T2V02GC

SE08T2V02GC 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 17:39:42 查看 閱讀�18

SE08T2V02GC是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
  這款MOSFET為N溝道增強型器�,適用于高頻開關(guān)應用。其出色的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計使其成為眾多電力電子應用的理想選擇�

參數(shù)

型號:SE08T2V02GC
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極耐壓):60V
  Rds(on)(導通電阻)�2.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):100A
  Qg(柵極電荷)�45nC
  EAS(雪崩能量)�2.5J
  f(工作頻率范圍):最高可�500kHz
  封裝形式:TO-247

特�

SE08T2V02GC具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導損��
  2. 高電流承載能力,支持高達100A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應��
  4. 良好的熱性能,確保在高功率密度環(huán)境下�(wěn)定運��
  5. �(nèi)置ESD保護,提高器件的抗靜電能��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
  這些特性使SE08T2V02GC在各種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品中表現(xiàn)出色�

應用

SE08T2V02GC廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 工業(yè)自動化設(shè)�
  5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
  6. 太陽能逆變�
  由于其卓越的性能和可靠性,該芯片成為許多高功率應用場景中的首選解決方案�

替代型號

IRFP2907
  STP100N06
  FDP55N06L

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